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2、實驗室環(huán)境
美國軍方針對高原環(huán)境下的醫(yī)學(xué)研究，USARIEM（The United States Army Research Institute of Environmental Medicine ，USARIEM美國軍方環(huán)境醫(yī)學(xué)研究所）建有一個大型（6.3×3.0 m）和一個小型低壓艙（3.7×2.7 m），通過氣閥相連接，可以模擬及控制壓力（從海平面到海拔9000米的氣壓）、溫度（-32 到43攝氏度）及對應(yīng)的濕度。
國內(nèi)目前主要是通過低氣壓（或高低溫-低氣壓，或高低溫-低氣壓-濕度）試驗箱模擬相應(yīng)環(huán)境來實現(xiàn)。
五、低氣壓試驗的目的
GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法 方法105 低氣壓試驗 （等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F ）
六、低氣壓相關(guān)試驗標(biāo)準(zhǔn)
1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗》
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法 方法105低氣壓試驗》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F ）
3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗方法和程序 方法1001 低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D)
4）GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗 總則》
5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗M低氣壓試驗方法》
6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗方法》
7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗方法》
8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗訪求》
9）GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》
10）MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實驗室試驗 低氣壓（高度）試驗》
11）溫度、壓力、高度關(guān)系GB1920
12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗規(guī)程 第二部分 試驗 試驗Z/BM 高溫/低氣壓試驗》
七、試驗條件：
1、試驗氣壓
GJB 150不適用于飛行高度超過30 000m的航天器、飛機或?qū)椛系难b備，而GJB 360中給出了4 572~200 000m不同高度下對應(yīng)的低氣壓值，GJB 548也給出了4 572~200 000m不同高度下對應(yīng)的低氣壓值。對比GJB 360與GJB 548的低氣壓-高度表，GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小；GJB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗條件由A到試驗條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗條件F到試驗條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。與GJB 548所列的試驗條件對比，GJB 360 試驗條件增加了條件H到試驗條件J，對應(yīng)的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7.6kPa；K：25 000m, 2.5 kPa 。
2、試驗時間
GJB 360B-2009規(guī)定：
3、升降壓速率
通常不大于10kPa/min。
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